Товары для дома и сада

Накопитель SSD Samsung M.2 970 EVO Plus 500 Гб PCIe 3bit MLC (TLC) MZ-V7S500BW

Артикул: 1 333 716

 


 

Нет в наличии
8 890
500-гигабайтный SSD M.2 накопитель Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S500BW] – устройство экстра-класса, которое способно обеспечить решение задач серьезнейшего уровня.
Накопитель, соответствующий форм-фактору 2280, будет полезен владельцам большинства эксплуатируемых в настоящее время стационарных компьютеров. Необходимо лишь наличие разъема M.2 и поддержка технологии NVMe. Устройство обладает совместимостью и с немалым количеством моделей мобильных компьютеров. Используемый интерфейс – PCI-E 3.0 x4.
SSD M.2 накопитель Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S500BW] обеспечивает скорость последовательного чтения, пиковое значение которой составляет невероятные 3500 МБ/с.
Максимальная скорость последовательной записи равна 3200 МБ/с. Ресурс накопителя оценивается производителем в 300 TBW.
Показатель MTFB составляет 1.5 миллиона часов. Энергопотребление накопителя может достигать лишь 9 Вт. Компоновка чипов памяти – односторонняя.

Основные характеристики:
Тип: SSD M.2 накопитель
Объем накопителя: 500 ГБ
Форм-фактор: 2280
Физический интерфейс: PCI-E 3.x x4
Ключ M.2 разъема: M
NVMe: есть

Конфигурация накопителя:
Количество бит на ячейку: 3 бит MLC (TLC)
Структура памяти: 3D NAND
DRAM буфер: есть
Объем DRAM буфера: 512 МБ

Показатели производительности:
Максимальная скорость последовательного чтения: 3500 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи: 3200 Мбайт/сек
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32): 480000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32): 550000 IOPS

Надежность:
Максимальный ресурс записи (TBW): 300 ТБ
DWPD: 0.33

Дополнительная информация:
Радиатор в комплекте: нет
Энергопотребление: Средняя потребляемая мощность: 5.8 Вт. Максим: 9 Вт. (режим Burst)
Аппаратное шифрование данных: есть
Аппаратное шифрование AES 256 бит

Габариты и вес:
Габариты: 2.38х22х80 мм
Вес: 8 г
Бренд Samsung
Тип SSD-накопитель
Емкость (Гб) 500
Форм-фактор (дюйм) М.2 2280
Интерфейс PCIe 3.0
Тип памяти 3D NAND TLC
Cкорость чтения (Мбайт/сек) 3500
Cкорость записи (Мбайт/сек) 3200
Ресурс записи TBW (TB) 300
DWPD 0.33
DRAM буфер (MB) 512
Толщина (мм) 2.38
Длина (мм) 80
Ширина (мм) 22
Ключ M.2 разъема M
Радиатор в комплекте нет
Пропускная способность интерфейса (Гбит/сек) 8
Вес (г) 8
Гарантия 3 года
Вам также может понравиться